BSM400D12P3G002
Número de pieza BSM400D12P3G002
Fabricante Rohm Semiconductor
Descripción 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
cantidad disponible 4 pcs in stock
Modelo ECAD
Hojas de datos
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Información técnica de BSM400D12P3G002
Número de pieza del fabricante BSM400D12P3G002 Categoría Productos semiconductores discretos
Fabricante LAPIS Technology Descripción 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
Paquete / caja module cantidad disponible 4 pcs
VGS (th) (Max) @Id 5.6V @ 109.2mA Tecnología Silicon Carbide (SiC)
Paquete del dispositivo Module Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs - Potencia - Max 1570W (Tc)
Paquete / Cubierta Module Paquete Bulk
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 17000pF @ 10V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs -
Característica de FET - Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 400A (Tc) Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
Número de producto base BSM400  
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