Modelo de Producto

SSM3J168F,LF

Introducción

MOSFET de canal P diseñado para gestión de energía y conmutación

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor y Storage

Características

Canal P, 60V, 400mA, baja resistencia en estado ON, conmutación de alta velocidad, bajo voltaje de activación

Rendimiento del Producto

Dissipación de potencia de 1.2W, alta fiabilidad bajo conmutación de alta velocidad, baja carga de puerta para operación eficiente

Especificaciones Técnicas

Voltaje de drenaje-fuente (Vds) 60V, corriente de drenaje (Id) 400mA, resistencia estática de drenaje-fuente en ON (Rds(on)) de 1.9 Ohm a 100mA, 4.5V, carga de puerta (Qg) de 82pF a 10V, carga total de puerta (Qg) de 3nC, voltaje umbral puerta-fuente (Vgs(th)) de 2V a 1mA, voltaje máximo puerta-fuente directa (Vgs) 20V, voltaje máximo puerta-fuente inversa (Vgs) -16V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, suministrado en cinta y carrete (TR) para ensamblaje automatizado, nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1

Calidad y Fiabilidad

Libre de plomo y cumple con RoHS, alta resistencia a la humedad

Ventajas del Producto

Rendimiento térmico mejorado para su tamaño, adecuado para aplicaciones de bajo voltaje

Competitividad del Producto

Capacidades de conmutación de alta velocidad, operación eficiente en energía

Compatibilidad

Compatible con tecnología de montaje superficial (SMT)

Certificación y Cumplimiento Estándar

Libre de plomo / Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para fiabilidad a largo plazo, materiales y producción amigables con el medio ambiente

Campos de Aplicación Real

Sistemas de gestión de energía, aplicaciones de conmutación, dispositivos portátiles, fuentes de alimentación

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