| SSM3J168F,LXHF | |
|---|---|
| Número de pieza | SSM3J168F,LXHF |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| cantidad disponible | 1173 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SSM3J168F,LXHF.pdf |
| SSM3J168F,LXHF Price |
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| Información técnica de SSM3J168F,LXHF | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SSM3J168F,LXHF | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| Paquete / caja | S-Mini | cantidad disponible | 1173 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | S-Mini |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 600mW (Ta) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
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| SSM3J168F,LXHF Acciones | Precio SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF Electrónica | |||
| Componentes SSM3J168F,LXHF | Inventario SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF Digikey | |||
| Proveedor SSM3J168F,LXHF | Orden SSM3J168F,LXHF en línea | Consulta SSM3J168F,LXHF | |||
| Imagen SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF Picture | SSM3J168F,LXHF PDF | |||
| Hoja de datos SSM3J168F,LXHF | Descargar la hoja de datos de SSM3J168F,LXHF | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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