Modelo de Producto

STPSC10H065G-TR

Introducción

Diodo Schottky de Carburos de Silicio diseñado para aplicaciones de alta eficiencia

Marca y Fabricante

STMicroelectronics

Características

Diodo Schottky de Carburos de Silicio, bajo voltaje directo, alta capacidad de temperatura de unión, tiempo de recuperación inversa mínimo

Rendimiento del Producto

Corriente rectificada promedio: 10A, voltaje directo máximo: 1.75V a 10A, corriente de fuga inversa: 100µA a 650V, capacitancia: 480pF a 0V, 1MHz

Especificaciones Técnicas

Voltaje - Máx. Inverso DC (Vr): 650V, Temperatura de operación - Unión: -40°C a +175°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete / Caja: TO-263-3, DPAK, Tipo de embalaje: Cinta cortada (CT), Tipo de montaje: Montaje superficial

Calidad y Fiabilidad

Estado libre de plomo / Cumplimiento de RoHS: Libre de plomo / Cumple con RoHS, Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (Ilimitado)

Ventajas del Producto

Alta eficiencia y fiabilidad, adecuado para operaciones a alta temperatura

Competitividad del Producto

Competitivo en aplicaciones de energía de alta eficiencia

Compatibilidad

Compatible con procesos estándar de montaje superficial

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Duradero con alta estabilidad a temperaturas

Campos de Aplicación Real

Unidades de suministro de energía, sistemas de conversión de energía, aplicaciones de gestión de energía

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