| STPSC10H12G2Y-TR | |
|---|---|
| Número de pieza | STPSC10H12G2Y-TR |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK |
| cantidad disponible | 900 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.STPSC10H12G2Y-TR.pdf2.STPSC10H12G2Y-TR.pdf3.STPSC10H12G2Y-TR.pdf |
| STPSC10H12G2Y-TR Price |
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| Información técnica de STPSC10H12G2Y-TR | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | STPSC10H12G2Y-TR | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | STMicroelectronics | Descripción | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK |
| Paquete / caja | D2PAK HV | cantidad disponible | 900 pcs |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.5 V @ 10 A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200 V |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Paquete del dispositivo | D2PAK HV |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Corriente - Fuga inversa a Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 10A | Capacitancia Vr, F | 725pF @ 0V, 1MHz |
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| STPSC10H12G2Y-TR Acciones | Precio STPSC10H12G2Y-TR | STPSC10H12G2Y-TR Electrónica | |||
| Componentes STPSC10H12G2Y-TR | Inventario STPSC10H12G2Y-TR | STPSC10H12G2Y-TR Digikey | |||
| Proveedor STPSC10H12G2Y-TR | Orden STPSC10H12G2Y-TR en línea | Consulta STPSC10H12G2Y-TR | |||
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