Modelo de Producto

STPSC12065GY-TR

Introducción

Diodo Schottky de Carburo de Silicio diseñado para aplicaciones de alta eficiencia.

Marca y Fabricante

STMicroelectronics

Características

Diodo tipo Schottky de Carburo de Silicio, corriente rectificada promedio de 12A, sin tiempo de recuperación, Nivel de Sensibilidad a la Humedad 1, calificado para automoción bajo AEC-Q101, conforme a ECOPACK2.

Rendimiento del Producto

Voltaje directo de 1.45V a 12A, corriente de fuga inversa de 50µA a 600V, voltaje directo inverso máximo de 650V, rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 175°C, capacitancia de 750pF a 0V, 1MHz.

Especificaciones Técnicas

Diodo Schottky de Carburo de Silicio 650V 12A, empaque tipo D2PAK para montaje en superficie.

Dimensiones, Forma y Empaque

TO-263-3, DPAK (2 Puntas + Tab), caso TO-263AB, empaquetado en Digi-Reel.

Calidad y Fiabilidad

Alta fiabilidad con clasificación MSL 1.

Ventajas del Producto

Eficiencia y rendimiento térmico mejorados debido al material de Carburo de Silicio.

Competitividad del Producto

Competitivo en entornos de alta tensión y alta temperatura.

Compatibilidad

Compatible con montaje en superficie, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Calificado AEC-Q101, conforme a ECOPACK2.

Duración y Sostenibilidad

Duradero bajo condiciones extremas de temperatura y eléctricas.

Campos de Aplicación Real

Electrónica automotriz, unidades de suministro de energía, sistemas de conversión de energía, aplicaciones de alta frecuencia.

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