| SI7758DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI7758DP-T1-GE3 |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| cantidad disponible | 6373 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SI7758DP-T1-GE3.pdf |
| Descargar | SI7758DP-T1-GE3 Detalles PDF |
| SI7758DP-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SI7758DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI7758DP-T1-GE3 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descripción | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Paquete / caja | Cut Tape (CT) | cantidad disponible | 6373 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.7V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 | Otros nombres | SI7758DP-T1-GE3CT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7150pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| SI7758DP-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SI7758DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
| Descargar | SI7758DP-T1-GE3 Detalles PDF | ||
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| SI7758DP-T1-GE3 Acciones | Precio SI7758DP-T1-GE3 | SI7758DP-T1-GE3 Electrónica | |||
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