SI7802DN-T1-E3 | |
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Número de pieza | SI7802DN-T1-E3 |
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descripción | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
cantidad disponible | 2511 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | |
SI7802DN-T1-E3 Price |
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Información técnica de SI7802DN-T1-E3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SI7802DN-T1-E3 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descripción | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 2511 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 3.6V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 435 mOhm @ 1.95A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8 | Otros nombres | SI7802DN-T1-E3TR SI7802DNT1E3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 21nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 250V | Descripción detallada | N-Channel 250V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.24A (Ta) | ||
Descargar | SI7802DN-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI7802DN-T1-E3 Acciones | Precio SI7802DN-T1-E3 | SI7802DN-T1-E3 Electrónica | |||
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Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
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SI7798DP-T1-GE3 | SI7798DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7794DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
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SI7792DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
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SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7788DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
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SI7804DN-TI-E3 | VISHAY | |||
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SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7804DN | SI7804DN SI | SI | ||
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SI7804DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7806ADN | SI7806ADN SI | SI | ||
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SI7804DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
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SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
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SI7800ADN | SI7800ADN SI | SI | ||
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SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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