SI7802DN-T1-E3
Número de pieza SI7802DN-T1-E3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
cantidad disponible 2511 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de SI7802DN-T1-E3
Número de pieza del fabricante SI7802DN-T1-E3 Categoría Productos semiconductores discretos
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay Descripción MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
Paquete / caja Tape & Reel (TR) cantidad disponible 2511 pcs
VGS (th) (Max) @Id 3.6V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PowerPAK® 1212-8
Serie TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 435 mOhm @ 1.95A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1.5W (Ta) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta PowerPAK® 1212-8 Otros nombres SI7802DN-T1-E3TR
SI7802DNT1E3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 250V Descripción detallada N-Channel 250V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.24A (Ta)  
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