Modelo de Producto

SI7792DP-T1-GE3

Introducción

MOSFET de Potencia de Canal N con Diodo Schottky

Marca y Fabricante

Electro-Films (EFI) / Vishay

Características

MOSFET (Óxido Metálico) de Canal N, Diodo Schottky Integrado (Diodo de Cuerpo), Alta Corriente de Drenaje Continua, Libre de Plomo / Cumple con RoHS, Tecnología de Montaje Superficial

Rendimiento del Producto

Alta Disipación de Potencia, Gestión Térmica Eficiente, Bajo Rds On para Mayor Eficiencia, Alta Tensión de Drenaje a Fuente, Conmutación Rápida

Especificaciones Técnicas

Tensión de Drenaje a Fuente de 30V, Corriente Continua de Drenaje de 40.6A a 60A, 2.1 mOhm Rds On a 20A, 10V, Tensión de Conducción de 4.5V a 10V, Carga de Puerta de 135nC a 10V, Capacitancia de Entrada de 4.735nF a 15V, Tensión de Puerta a Fuente de ±20V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete PowerPAK SO-8, Embalaje en Cinta y Carrete para Montaje Automatizado

Calidad y Fiabilidad

Nivel de Sensibilidad a la Humedad 1, Construcción Robusta para Durabilidad

Ventajas del Producto

Bajas Pérdidas por Conducción, Capacidades de Conmutación a Alta Velocidad, Conversión de Potencia Eficiente

Competitividad del Producto

Tecnología TrenchFET de Generación III para Rendimiento Superior, Serie SkyFET Reconocida por su Calidad

Compatibilidad

Compatible con Otros Dispositivos de Montaje Superficial, Diodo de Cuerpo Integrado para Simplificación del Diseño de Circuitos

Certificación y Cumplimiento Estándar

Libre de Plomo, Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para Fiabilidad a Largo Plazo

Campos de Aplicación Real

Gestión de Potencia, Convertidores DC/DC, Accionamientos de Motores, Computación, Telecomunicaciones

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