| IPG20N06S2L-35AATMA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPG20N06S2L-35AATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| cantidad disponible | Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| IPG20N06S2L-35AATMA1 Price |
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| Información técnica de IPG20N06S2L-35AATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPG20N06S2L-35AATMA1 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Paquete / caja | PG-TDSON-8-10 | cantidad disponible | Available Stock |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 27µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8-10 | Serie | OptiMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V | Potencia - Max | 65W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Paquete | Bulk |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
| Número de producto base | IPG20N |
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ IPG20N06S2L-35AATMA1 en línea.
| IPG20N06S2L-35AATMA1 Acciones | Precio IPG20N06S2L-35AATMA1 | IPG20N06S2L-35AATMA1 Electrónica | |||
| Componentes IPG20N06S2L-35AATMA1 | Inventario IPG20N06S2L-35AATMA1 | IPG20N06S2L-35AATMA1 Digikey | |||
| Proveedor IPG20N06S2L-35AATMA1 | Orden IPG20N06S2L-35AATMA1 en línea | Consulta IPG20N06S2L-35AATMA1 | |||
| Imagen IPG20N06S2L-35AATMA1 | IPG20N06S2L-35AATMA1 Picture | IPG20N06S2L-35AATMA1 PDF | |||
| Hoja de datos IPG20N06S2L-35AATMA1 | Descargar la hoja de datos de IPG20N06S2L-35AATMA1 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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