| IPG20N06S2L35ATMA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPG20N06S2L35ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
| cantidad disponible | 31000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf2.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf3.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf4.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf |
| IPG20N06S2L35ATMA1 Price |
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| Información técnica de IPG20N06S2L35ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPG20N06S2L35ATMA1 | Categoría | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
| Paquete / caja | PG-TDSON-8-4 | cantidad disponible | 31000 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 27µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8-4 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V | Potencia - Max | 65W |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
| Número de producto base | IPG20N | ||
| Descargar | IPG20N06S2L35ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| IPG20N06S2L35ATMA1 Acciones | Precio IPG20N06S2L35ATMA1 | IPG20N06S2L35ATMA1 Electrónica | |||
| Componentes IPG20N06S2L35ATMA1 | Inventario IPG20N06S2L35ATMA1 | IPG20N06S2L35ATMA1 Digikey | |||
| Proveedor IPG20N06S2L35ATMA1 | Orden IPG20N06S2L35ATMA1 en línea | Consulta IPG20N06S2L35ATMA1 | |||
| Imagen IPG20N06S2L35ATMA1 | IPG20N06S2L35ATMA1 Picture | IPG20N06S2L35ATMA1 PDF | |||
| Hoja de datos IPG20N06S2L35ATMA1 | Descargar la hoja de datos de IPG20N06S2L35ATMA1 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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