IPG20N06S2L35AATMA1 | |
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Número de pieza | IPG20N06S2L35AATMA1 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON |
cantidad disponible | 31000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf2.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf3.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf4.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf |
IPG20N06S2L35AATMA1 Price |
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Información técnica de IPG20N06S2L35AATMA1 | |||
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Número de pieza del fabricante | IPG20N06S2L35AATMA1 | Categoría | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON |
Paquete / caja | PG-TDSON-8-10 | cantidad disponible | 31000 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 27µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8-10 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V | Potencia - Max | 65W |
Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Paquete | Tape & Reel (TR) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount, Wettable Flank |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
Número de producto base | IPG20N | ||
Descargar | IPG20N06S2L35AATMA1 PDF - EN.pdf |
IPG20N06S2L35AATMA1 Acciones | Precio IPG20N06S2L35AATMA1 | IPG20N06S2L35AATMA1 Electrónica | |||
Componentes IPG20N06S2L35AATMA1 | Inventario IPG20N06S2L35AATMA1 | IPG20N06S2L35AATMA1 Digikey | |||
Proveedor IPG20N06S2L35AATMA1 | Orden IPG20N06S2L35AATMA1 en línea | Consulta IPG20N06S2L35AATMA1 | |||
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Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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