IPG20N06S4L11AATMA1
Número de pieza IPG20N06S4L11AATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descripción MOSFET 2N-CH 8TDSON
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Modelo ECAD
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Información técnica de IPG20N06S4L11AATMA1
Número de pieza del fabricante IPG20N06S4L11AATMA1 Categoría  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descripción MOSFET 2N-CH 8TDSON
Paquete / caja PG-TDSON-8-10 cantidad disponible 10500 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 28µA Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-10 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V Potencia - Max 65W
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN Paquete Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 53nC @ 10V
Característica de FET Logic Level Gate Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A Configuración 2 N-Channel (Dual)
Número de producto base IPG20N  
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