Modelo de Producto

IPG20N06S4L26AATMA1

Introducción

Transistor MOSFET N-channel dual de alto rendimiento para aplicaciones automotrices.

Marca y Fabricante

Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier)

Características

Transistor MOSFET N-channel dual de nivel lógico; alta capacidad de manejo de potencia; optimizado para aplicaciones automotrices; paquete de potencia de alta densidad; calificado AEC-Q101 para fiabilidad en automoción.

Rendimiento del Producto

Excelente rendimiento térmico; robusto frente a transitorios rápidos; baja resistencia en estado de conducción Rds(on); alta capacidad de conducción de corriente.

Especificaciones Técnicas

Vdss: 60V; Id: 20A continuo a 25°C; Rds On: 26 mOhm a 17A, 10V; Vgs(th): 2.2V a 10A; Qg: 20nC a 10V; Ciss: 1430pF a 25V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete PG-TDSON-8-10; montaje en superficie; cinta y carrete (TR) para ensamblaje automatizado.

Calidad y Fiabilidad

Cumple con las normas AEC-Q101; libre de plomo y conforme a RoHS; operación a alta temperatura de hasta 175°C.

Ventajas del Producto

Bajas pérdidas de conducción; reducidas pérdidas por conmutación; altas capacidades de frecuencia de conmutación.

Competitividad del Producto

Competitivo en la industria automotriz por su alta fiabilidad; adecuado para condiciones ambientales adversas.

Compatibilidad

Compatible con procesos de montaje en superficie estándar; compatible con controladores de puerta de nivel lógico.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Calificado AEC-Q101; conforme a RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Calificado para una vida operativa prolongada bajo condiciones automotrices; diseñado para un rendimiento eficiente en energía.

Campos de Aplicación Real

Sistemas automotrices, incluyendo transmisión y control del chasis; unidades de suministro de energía de alta eficiencia; sistemas de gestión de energía; aplicaciones industriales que requieren MOSFETs de alta densidad de potencia y fiabilidad.

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