Modelo de Producto

IPG20N10S4L22ATMA1

Introducción

MOSFET de nivel lógico N-Channel

Marca y Fabricante

Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier)

Características

MOSFET N-Channel dual, puerta de nivel lógico, calificación AEC-Q101, diseñado para aplicaciones automotrices, tecnología OptiMOS para alta eficiencia.

Rendimiento del Producto

Alta capacidad de corriente - 20A de drenaje continuo, baja resistencia en estado de encendido - 22 mOhm, manejo de potencia mejorado - 60W máximo, robusto rendimiento térmico - temperatura de operación de -55°C a 175°C.

Especificaciones Técnicas

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) - 100V, voltaje de umbral de puerta-fuente (Vgs(th)) - 2.1V @ 25µA, carga de puerta (Qg) - 27nC, capacitancia de entrada (Ciss) - 1755pF.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete de montaje en superficie PG-TDSON-8-4, embalaje del fabricante - PG-TDSON-8-4, embalaje - cinta y carrete (TR).

Calidad y Fiabilidad

Cumple con RoHS, libre de plomo, diseñado para estándares automotrices rigurosos.

Ventajas del Producto

Mejorada densidad de potencia, menores pérdidas de conducción, reducción de pérdidas de conmutación, configuración de lado alto y lado bajo.

Competitividad del Producto

Resistencia en estado de encendido competitiva, alta eficiencia para aplicaciones de conversión de energía, adecuado para entornos con restricciones de alta temperatura.

Compatibilidad

Adecuado para técnicas comunes de montaje en superficie, puerta de nivel lógico compatible con voltajes de conducción estándar.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Certificado AEC-Q101 para fiabilidad automotriz, cumple con RoHS para protección ambiental.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga duración en entornos difíciles, optimizado para un consumo de energía reducido y generación de calor.

Campos de Aplicación Real

Electrónica automotriz, gestión de energía, convertidores DC-DC, controladores de motor, sistemas de gestión de baterías.

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