| IPG20N06S4L14ATMA2 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPG20N06S4L14ATMA2 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| cantidad disponible | 2666 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf2.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf3.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf4.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf |
| IPG20N06S4L14ATMA2 Price |
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| Información técnica de IPG20N06S4L14ATMA2 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPG20N06S4L14ATMA2 | Categoría | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| Paquete / caja | PG-TDSON-8-4 | cantidad disponible | 2666 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 20µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8-4 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V | Potencia - Max | 50W |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
| Número de producto base | IPG20N | ||
| Descargar | IPG20N06S4L14ATMA2 PDF - EN.pdf | ||
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