| IPG20N10S4L35ATMA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| cantidad disponible | 4000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L35ATMA1 Price |
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| Información técnica de IPG20N10S4L35ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPG20N10S4L35ATMA1 | Categoría | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Paquete / caja | PG-TDSON-8-4 | cantidad disponible | 4000 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.1V @ 16µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8-4 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V | Potencia - Max | 43W |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
| Número de producto base | IPG20N | ||
| Descargar | IPG20N10S4L35ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modelo de Producto
IPG20N10S4L35ATMA1
Introducción
MOSFET N-Channel de alto rendimiento
Marca y Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Características
MOSFET de nivel lógico; Configuración N-Channel dual; Alta eficiencia y densidad de potencia; Calificación AEC-Q101 para aplicaciones automotrices; Optimizado para conmutación rápida
Rendimiento del Producto
Excelente rendimiento térmico; Óxido de puerta robusto para alta fiabilidad; Alta corriente de drenaje continua de 20A
Especificaciones Técnicas
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) de 100V; Rds On de 35 mOhm a 17A, 10V; Carga de puerta (Qg) de 17.4nC a 10V; Capacitancia de entrada (Ciss) de 1105pF a 25V
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete PowerVDFN de 8 pines (PG-TDSON-8-4); Tecnología de Montaje Superficial; Empaque Tape & Reel (TR) para ensamblaje automatizado
Calidad y Fiabilidad
Libre de plomo y conforme a RoHS para sostenibilidad ambiental; Certificación AEC-Q101 para estándares de electrónica automotriz; Diseñado para fiabilidad a largo plazo en condiciones adversas
Ventajas del Producto
Alta densidad de potencia que permite diseños compactos; Eficiencia mejorada que reduce pérdidas de energía; Adecuado para fuentes de alimentación de puerta de nivel lógico
Competitividad del Producto
Rds On competitivo y corriente de drenaje en su clase; Bien adaptado para aplicaciones automotrices e industriales; Fuerte apoyo global de Infineon Technologies
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de tensiones de puerta; Adecuado para diversas aplicaciones de interruptores de alta y baja carga
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumplimiento AEC-Q101 para requisitos de fiabilidad automotriz; Cumplimiento total de RoHS para estándares ambientales
Duración y Sostenibilidad
Diseñado para soportar temperaturas extremas que van de -55°C a 175°C; Construido para operación y vida útil a largo plazo en entornos exigentes
Campos de Aplicación Real
Sistemas automotrices; Gestión de energía industrial; Fuentes de alimentación y convertidores; Circuitos de control de motores
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