Modelo de Producto

SSM3J328R.LF

Introducción

Transistor de efecto de campo de silicio tipo P-Channel de mejora

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Baja resistencia on del drenador a la fuente, Conmutación de alta velocidad, Paquete de montaje en superficie pequeño, Montaje de alta densidad

Rendimiento del Producto

Bajo voltaje de saturación, Reducción del consumo de energía, Excelente linealidad

Especificaciones Técnicas

MOSFET de canal P, Voltaje drenador-fuente (Vdss): -30V, Corriente de drenaje continua (Id): -6A, Disipación de potencia (Pd): 1.5W, RDS(on) Máx @ Id, Vgs: 45 mOhms @ -4.5A, -10V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete SOT-23F, Compacto y ligero

Calidad y Fiabilidad

Calidad comprobada de Toshiba, Alta fiabilidad

Ventajas del Producto

Ahorro de energía, Diseño que ahorra espacio, Rendimiento térmico superior

Competitividad del Producto

Precios competitivos, Ampliamente aplicable a diferentes circuitos

Compatibilidad

Compatible con otros MOSFET de canal P en paquetes similares

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, Cumple con los estándares industriales de calidad y seguridad

Duración y Sostenibilidad

Duradero con una larga vida operativa, Materiales ecológicos

Campos de Aplicación Real

Aplicaciones de gestión de energía, Interruptores de carga, Sistemas de gestión de baterías, Circuitos convertidores

SSM3J328R.LF son nuevos y originales en stock, encuentre el inventario de componentes electrónicos SSM3J328R.LF, la hoja de datos, el inventario y el precio en línea en Ariat-Tech .com, ordene SSM3J328R.LF TOSHIBA con garantía y confianza de parte de la tecnología Ariat Limitd. Envíe vía DHL / FedEx / UPS. El pago con transferencia bancaria o PayPal está bien.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SSM3J328R.LF en línea.