Modelo de Producto

SSM3J331R

Introducción

Transistor MOSFET de potencia, Canal P

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor y Almacenamiento

Características

Modo de mejora de canal P, conmutación de alta velocidad, bajo resistencia en estado ON, baja carga de compuerta, adecuado para montaje de alta densidad

Rendimiento del Producto

Voltaje de control de 2.5V, baja carga de salida, control de alta corriente

Especificaciones Técnicas

V_DSS = -30 V, I_D = -6 A, R_DS(ON) = 52 mΩ (típ.) a V_GS = -4.5 V, R_DS(ON) = 68 mΩ (típ.) a V_GS = -2.5 V, disipación de potencia: 1.5 W

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete muy pequeño y delgado, paquete SOT-23F, empaque en carrete para ensamblaje automatizado

Calidad y Fiabilidad

Alta fiabilidad, resistencia a conmutaciones repetidas

Ventajas del Producto

Componente ahorrador de energía, contribuye a una menor utilización de potencia

Competitividad del Producto

Precios competitivos en la categoría de MOSFET de canal P, cumple con las demandas de mayor eficiencia en la gestión de energía

Compatibilidad

Compatible con muchas aplicaciones de nivel lógico estándar

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, libre de halógenos

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para operación a largo plazo, contribuye a diseños energéticamente eficientes

Campos de Aplicación Real

Aplicaciones de gestión de energía, interruptor de carga, interruptor de batería, convertidores DC/DC, circuitos de alimentación

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