Modelo de Producto

SSM3J332R.LF

Introducción

Un dispositivo semiconductor de Toshiba especializado en aplicaciones de circuitos integrados específicos.

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Capacidad de alta corriente, baja resistencia en estado de conducción, paquete de montaje superficial compacto.

Rendimiento del Producto

Gestión de energía eficiente, operación estable en un amplio rango de temperaturas, duradero bajo alta frecuencia de conmutación.

Especificaciones Técnicas

Polaridad del transistor: P-Canal, Corriente de drenaje continua: 6A, Voltaje de ruptura entre drenaje y fuente: -30V, Valor RDS(on): 0.039 Ohmios.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete SOT-23F compacto, perfil ligero y delgado, suministrado en cinta y carrete para procesos de ensamblaje automatizados.

Calidad y Fiabilidad

Sometido a rigurosos estándares de prueba, construcción de material de alta calidad, rendimiento fiable para aplicaciones críticas.

Ventajas del Producto

Alta eficiencia energética, adecuado para montaje de alta densidad, baja generación térmica.

Competitividad del Producto

Altamente competitivo en tareas de regulación de energía, superior relación costo-rendimiento en su categoría.

Compatibilidad

Compatible con varios circuitos integrados digitales y analógicos, adecuado para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares de la industria para seguridad y rendimiento, conforme a regulaciones ambientales.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa bajo condiciones especificadas, diseño ecológico que minimiza el consumo de energía.

Campos de Aplicación Real

Gestión de energía en electrónica de consumo, circuitos de regulación en dispositivos informáticos, convertidores DC/DC en equipos portátiles.

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