Modelo de Producto

SSM3J338R

Introducción

MOSFET de potencia para aplicaciones de conmutación

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor y Storage

Características

MOSFET de canal N, Baja resistencia en conducción, Baja carga de compuerta, Conmutación de alta velocidad

Rendimiento del Producto

Gestión de energía de alta eficiencia, Funcionamiento estable en un amplio rango de temperatura

Especificaciones Técnicas

Clasificaciones máximas (VDSS, VGSS, ID, PD), RDS(ON), Carga de compuerta (Qg), Capacitancia de entrada (Ciss)

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete SOT-23 de contorno pequeño, Montaje en superficie, Ligero y perfil delgado

Calidad y Fiabilidad

Calidad probada de Toshiba, Exhaustivamente probado para durabilidad, Larga vida operativa con mínima degradación

Ventajas del Producto

Ahorro energético, Pequeña huella en PCB, Fácil de integrar en diversos circuitos

Competitividad del Producto

Precios competitivos, Rendimiento superior en su categoría, Ampliamente aceptado en la industria

Compatibilidad

Apropiado para una amplia gama de aplicaciones de potencia, Compatible con circuitos de control comúnmente usados

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con certificaciones estándar de la industria, Cumple con RoHS, Satisface estándares internacionales de seguridad

Duración y Sostenibilidad

Confiabilidad a largo plazo, Diseñado para un uso sostenible, Cumple con estándares ecológicos

Campos de Aplicación Real

Sistemas de gestión de energía, Cargadores de batería, Convertidores DC/DC, Controladores de motor, Electrónica de consumo

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