Modelo de Producto

SSM3J338RLF

Introducción

Transistor MOSFET de Potencia de Estado Sólido

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductores y Almacenamiento

Características

Baja resistencia on-resistencia de drenaje-fuente, alta admisión de transferencia hacia adelante, bajo corriente de fuga, velocidad de conmutación mejorada, paquete de montaje superficial pequeño

Rendimiento del Producto

Capacidades de montaje de alta densidad, bajo consumo de energía, rendimiento térmico mejorado

Especificaciones Técnicas

Voltaje de drenaje-fuente (Vdss): 30V, Corriente continua de drenaje (Id): 6A, Disipación de potencia (Pd): 1.5W, Voltaje de umbral de puerta (Vgs(th))

Dimensiones, Forma y Empaque

Ancho: 2.8 mm, Altura: 0.8 mm, Profundidad: 2.9 mm, Paquete: SOT-23F

Calidad y Fiabilidad

Construcción robusta, estabilidad en el rendimiento a largo plazo, sujeta a rigurosos controles de calidad

Ventajas del Producto

Apropiado para conmutación a alta velocidad, operación eficiente en energía, factor de forma compacto para aplicaciones con limitaciones de espacio

Competitividad del Producto

Alta capacidad de corriente en un paquete pequeño, precios competitivos en su categoría

Compatibilidad

Compatible con equipos estándar de tecnología de montaje superficial

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las normas internacionales de seguridad y medio ambiente aplicables

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una operación de larga duración, cumple con RoHS para la sostenibilidad ambiental

Campos de Aplicación Real

Gestión de energía en dispositivos portátiles, convertidores DC/DC, circuitos de control de motores, conmutación de carga

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