SSM3J353F,LF
Número de pieza SSM3J353F,LF
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
cantidad disponible 2521 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de SSM3J353F,LF
Número de pieza del fabricante SSM3J353F,LF Categoría  
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descripción MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Paquete / caja S-Mini cantidad disponible 2521 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) +20V, -25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo S-Mini
Serie U-MOSVI RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo) 600mW (Ta) Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 159 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.4 nC @ 4.5 V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Número de producto base SSM3J353  
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Componentes SSM3J353F,LFInventario SSM3J353F,LFSSM3J353F,LF Digikey
Proveedor SSM3J353F,LFOrden SSM3J353F,LF en línea Consulta SSM3J353F,LF
Imagen SSM3J353F,LFSSM3J353F,LF PictureSSM3J353F,LF PDF
Hoja de datos SSM3J353F,LFDescargar la hoja de datos de SSM3J353F,LFFabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
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