SSM3J356R,LF
Número de pieza SSM3J356R,LF
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
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Información técnica de SSM3J356R,LF
Número de pieza del fabricante SSM3J356R,LF Categoría  
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descripción MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Paquete / caja SOT-23F cantidad disponible 13000 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 1mA Vgs (Max) +10V, -20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo SOT-23F
Serie U-MOSVI RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta) Paquete / Cubierta SOT-23-3 Flat Leads
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Número de producto base SSM3J356  
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Componentes SSM3J356R,LFInventario SSM3J356R,LFSSM3J356R,LF Digikey
Proveedor SSM3J356R,LFOrden SSM3J356R,LF en línea Consulta SSM3J356R,LF
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