| SSM3J35CT,L3F | |
|---|---|
| Número de pieza | SSM3J35CT,L3F |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| cantidad disponible | 2568 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SSM3J35CT,L3F.pdf |
| SSM3J35CT,L3F Price |
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| Información técnica de SSM3J35CT,L3F | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SSM3J35CT,L3F | Categoría | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| Paquete / caja | CST3 | cantidad disponible | 2568 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | CST3 |
| Serie | π-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 100mW (Ta) | Paquete / Cubierta | SC-101, SOT-883 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | Número de producto base | SSM3J35 |
| Descargar | SSM3J35CT,L3F PDF - EN.pdf | ||
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| SSM3J35CT,L3F Acciones | Precio SSM3J35CT,L3F | SSM3J35CT,L3F Electrónica | |||
| Componentes SSM3J35CT,L3F | Inventario SSM3J35CT,L3F | SSM3J35CT,L3F Digikey | |||
| Proveedor SSM3J35CT,L3F | Orden SSM3J35CT,L3F en línea | Consulta SSM3J35CT,L3F | |||
| Imagen SSM3J35CT,L3F | SSM3J35CT,L3F Picture | SSM3J35CT,L3F PDF | |||
| Hoja de datos SSM3J35CT,L3F | Descargar la hoja de datos de SSM3J35CT,L3F | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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