| TP65H015G5WS | |
|---|---|
| Número de pieza | TP65H015G5WS |
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | 650 V 95 A GAN FET |
| cantidad disponible | 263 pcs in stock |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | TP65H015G5WS.pdf |
| TP65H015G5WS Price |
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| Información técnica de TP65H015G5WS | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | TP65H015G5WS | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Transphorm | Descripción | 650 V 95 A GAN FET |
| Paquete / caja | TO-247-3 | cantidad disponible | 263 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.8V @ 2mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Paquete del dispositivo | TO-247-3 |
| Serie | SuperGaN™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 18mOhm @ 60A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 266W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5218 pF @ 400 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
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| TP65H015G5WS Acciones | Precio TP65H015G5WS | TP65H015G5WS Electrónica | |||
| Componentes TP65H015G5WS | Inventario TP65H015G5WS | TP65H015G5WS Digikey | |||
| Proveedor TP65H015G5WS | Orden TP65H015G5WS en línea | Consulta TP65H015G5WS | |||
| Imagen TP65H015G5WS | TP65H015G5WS Picture | TP65H015G5WS PDF | |||
| Hoja de datos TP65H015G5WS | Descargar la hoja de datos de TP65H015G5WS | Fabricante Transphorm | |||
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