| TP65H150G4LSG-TR | |
|---|---|
| Número de pieza | TP65H150G4LSG-TR |
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | 650 V 13 A GAN FET |
| cantidad disponible | 2916 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| TP65H150G4LSG-TR Price |
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| Información técnica de TP65H150G4LSG-TR | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | TP65H150G4LSG-TR | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Transphorm | Descripción | 650 V 13 A GAN FET |
| Paquete / caja | 2-PQFN (8x8) | cantidad disponible | 2916 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.8V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Paquete del dispositivo | 2-PQFN (8x8) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 52W (Tc) | Paquete / Cubierta | 2-PowerTSFN |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 598 pF @ 400 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
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