| TP65H300G4LSG-TR | |
|---|---|
| Número de pieza | TP65H300G4LSG-TR |
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
| cantidad disponible | 6744 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | TP65H300G4LSG-TR.pdf |
| TP65H300G4LSG-TR Price |
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| Información técnica de TP65H300G4LSG-TR | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | TP65H300G4LSG-TR | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Transphorm | Descripción | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
| Paquete / caja | 3-PQFN (8x8) | cantidad disponible | 6744 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.6V @ 500µA | Vgs (Max) | ±18V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Paquete del dispositivo | 3-PQFN (8x8) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 312mOhm @ 5A, 8V |
| La disipación de energía (máximo) | 21W (Tc) | Paquete / Cubierta | 3-PowerDFN |
| Paquete | Cut Tape (CT) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.6 nC @ 8 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Número de producto base | TP65H300 |
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| TP65H300G4LSG-TR Acciones | Precio TP65H300G4LSG-TR | TP65H300G4LSG-TR Electrónica | |||
| Componentes TP65H300G4LSG-TR | Inventario TP65H300G4LSG-TR | TP65H300G4LSG-TR Digikey | |||
| Proveedor TP65H300G4LSG-TR | Orden TP65H300G4LSG-TR en línea | Consulta TP65H300G4LSG-TR | |||
| Imagen TP65H300G4LSG-TR | TP65H300G4LSG-TR Picture | TP65H300G4LSG-TR PDF | |||
| Hoja de datos TP65H300G4LSG-TR | Descargar la hoja de datos de TP65H300G4LSG-TR | Fabricante Transphorm | |||
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