Modelo de Producto

Si3863BDV-T1-GE3

Introducción

IC especializado de Vishay diseñado para aplicaciones de gestión de energía.

Marca y Fabricante

Vishay

Características

Bajo On-Resistance, Conmutación de Alta Velocidad, Bajo Voltaje Umbral de Puerta, Libre de Halógenos según la definición IEC 61249-2-21, Tecnología TrenchFET Power MOSFET.

Rendimiento del Producto

Excelente rendimiento térmico, alta eficiencia gracias a bajas pérdidas de conducción, robusto óxido de puerta para alta fiabilidad.

Especificaciones Técnicas

MOSFET de Canal P, Vds (Voltaje Drenaje-Fuente) = -12V, Id (Corriente Drenaje Continua) = -8A, Rds On (Máx) en Id, Vgs = 17 mOhm a -4.5V, -8A, Vgs(th) (Voltaje Umbral de Puerta) = -1V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete con tamaño reducido, libre de plomo (Pb) disponible en cinta y carrete, embalaje TSOP-6.

Calidad y Fiabilidad

Alta fiabilidad y larga vida operativa, cumple con los estándares de calidad de Vishay.

Ventajas del Producto

Ahorro energético debido a bajas pérdidas de potencia, miniaturización de productos finales gracias al pequeño paquete.

Competitividad del Producto

Precios competitivos, alto rendimiento en soluciones de gestión de energía.

Compatibilidad

Compatible con muchos niveles de señal, adecuado para fuentes de control de puerta a nivel lógico.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, libre de halógenos, conforme a REACH, cumple con los estándares ecológicos de Vishay.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una fiabilidad a largo plazo, respetuoso con el medio ambiente gracias a un bajo consumo de energía.

Campos de Aplicación Real

Gestión de energía, dispositivos alimentados por batería, conmutación de carga/potencia, electrónica portátil.

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