SI3867DV-T1-GE3 | |
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Número de pieza | SI3867DV-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
cantidad disponible | 18964 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | SI3867DV-T1-GE3.pdf |
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SI3867DV-T1-GE3 Price |
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Información técnica de SI3867DV-T1-GE3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SI3867DV-T1-GE3 | Categoría | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Paquete / caja | 6-TSOP | cantidad disponible | 18964 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 1.4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 51mOhm @ 5.1A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 1.1W (Ta) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) | Número de producto base | SI3867 |
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