SI3905DV-T1-E3
Número de pieza SI3905DV-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descripción MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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Número de pieza del fabricante SI3905DV-T1-E3 Categoría  
Fabricante Vishay / Siliconix Descripción MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Paquete / caja 6-TSOP cantidad disponible 13524 pcs
VGS (th) (Max) @Id 450mV @ 250µA (Min) Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 6-TSOP Serie TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V Potencia - Max 1.15W
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Paquete Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Característica de FET Logic Level Gate Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - Configuración 2 P-Channel (Dual)
Número de producto base SI3905 SI3905DV-T1-E3 Detalles PDF [English] SI3905DV-T1-E3 PDF - EN.pdf
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