| SI3900DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI3900DV-T1-GE3 |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| cantidad disponible | 21843 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| Descargar | SI3900DV-T1-GE3 Detalles PDF |
| SI3900DV-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SI3900DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI3900DV-T1-GE3 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 21843 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Potencia - Max | 830mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | SI3900DV-T1-GE3TR SI3900DVT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
| Número de pieza base | SI3900 | SI3900DV-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
| Descargar | SI3900DV-T1-GE3 Detalles PDF | ||
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| SI3900DV-T1-GE3 Acciones | Precio SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Electrónica | |||
| Componentes SI3900DV-T1-GE3 | Inventario SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Digikey | |||
| Proveedor SI3900DV-T1-GE3 | Orden SI3900DV-T1-GE3 en línea | Consulta SI3900DV-T1-GE3 | |||
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| Hoja de datos SI3900DV-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SI3900DV-T1-GE3 | Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
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| Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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SI3905DV-T1 IC | SILICONIX SOT163 | SILICONIX | ||
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SI3909DV-T1 | SI3909DV-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SI3867DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3900DV | SI3900DV VISHAY | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3905DV-T1 | SI3905DV-T1 ROHM | ROHM | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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Si3900DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 IC | VISHAY 6-TSOP | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3867DV-T1-GE3 MOS | VBSEMI TSOP6 | VBSEMI | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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