SI3900DV-T1-GE3 | |
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Número de pieza | SI3900DV-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
cantidad disponible | 21985 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | SI3900DV-T1-GE3.pdf |
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Información técnica de SI3900DV-T1-GE3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SI3900DV-T1-GE3 | Categoría | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
Paquete / caja | 6-TSOP | cantidad disponible | 21985 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 6-TSOP | Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V | Potencia - Max | 830mW |
Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Paquete | Tape & Reel (TR) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
Número de producto base | SI3900 | SI3900DV-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SI3900DV-T1-GE3 Acciones | Precio SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Electrónica | |||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 IC | VISHAY 6-TSOP | VISHAY | ||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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