Si3865DV-T1-GE3
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Información técnica de Si3865DV-T1-GE3
Número de pieza del fabricante Si3865DV-T1-GE3 Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante VPG Sensors Descripción Si3865DV-T1-GE3 VISHAY
Paquete / caja cantidad disponible 5842 pcs
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Modelo de Producto

Si3865DV-T1-GE3

Introducción

IC mosfet de potencia diseñado para una gestión eléctrica eficiente.

Marca y Fabricante

Vishay Siliconix

Características

Baja resistencia en conducción, conmutación de alta velocidad, carga de puerta minimizada, bajo voltaje de umbral.

Rendimiento del Producto

Capacidad de manejo de potencia mejorada, operación estable en un amplio rango de temperatura.

Especificaciones Técnicas

P-Channel -30V -3.7A (Ta), MOSFET PowerTrench, Montaje en superficie.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete SOT-23-6, diseño pequeño y compacto, empaque estándar en cinta y carrete para SMT.

Calidad y Fiabilidad

Calidad y fiabilidad comprobadas de Vishay, calificación AEC-Q101, rendimiento en temperaturas extendidas.

Ventajas del Producto

Operación energéticamente eficiente, huella térmica reducida, robusto contra conmutaciones frecuentes.

Competitividad del Producto

Precios competitivos para soluciones de gestión de potencia, rendimiento superior en aplicaciones ligeras.

Compatibilidad

Compatible con procesos SMT comunes, versátil para varios circuitos electrónicos.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumplimiento con RoHS, certificado AEC-Q101, conforme a certificaciones estándar de la industria.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida útil operativa bajo condiciones recomendadas, componente libre de plomo (Pb) y halógenos.

Campos de Aplicación Real

Gestión de potencia para dispositivos portátiles, electrónica alimentada por batería, convertidores DC/DC, aplicaciones de interruptores de carga.

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