SI3905DV-T1-GE3
Número de pieza SI3905DV-T1-GE3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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Número de pieza del fabricante SI3905DV-T1-GE3 Categoría Productos semiconductores discretos
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay Descripción MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Paquete / caja Tape & Reel (TR) cantidad disponible 10343 pcs
VGS (th) (Max) @Id 450mV @ 250µA (Min) Paquete del dispositivo 6-TSOP
Serie TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potencia - Max 1.15W embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6nC @ 4.5V Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 8V
Descripción detallada Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C -
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