| SI3879DV-T1-E3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI3879DV-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP |
| cantidad disponible | 38541 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SI3879DV-T1-E3.pdf |
| Descargar | SI3879DV-T1-E3 Detalles PDF |
| SI3879DV-T1-E3 Price |
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| Información técnica de SI3879DV-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI3879DV-T1-E3 | Categoría | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP |
| Paquete / caja | 6-TSOP | cantidad disponible | 38541 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | LITTLE FOOT® | RDS (Max) @Id, Vgs | 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Número de producto base | SI3879 | SI3879DV-T1-E3 Detalles PDF [English] | SI3879DV-T1-E3 PDF - EN.pdf |
| Descargar | SI3879DV-T1-E3 Detalles PDF | ||
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| SI3879DV-T1-E3 Acciones | Precio SI3879DV-T1-E3 | SI3879DV-T1-E3 Electrónica | |||
| Componentes SI3879DV-T1-E3 | Inventario SI3879DV-T1-E3 | SI3879DV-T1-E3 Digikey | |||
| Proveedor SI3879DV-T1-E3 | Orden SI3879DV-T1-E3 en línea | Consulta SI3879DV-T1-E3 | |||
| Imagen SI3879DV-T1-E3 | SI3879DV-T1-E3 Picture | SI3879DV-T1-E3 PDF | |||
| Hoja de datos SI3879DV-T1-E3 | Descargar la hoja de datos de SI3879DV-T1-E3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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