| SI3867DV-T1-E3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI3867DV-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| cantidad disponible | 13496 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SI3867DV-T1-E3.pdf |
| Descargar | SI3867DV-T1-E3 Detalles PDF |
| SI3867DV-T1-E3 Price |
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| Información técnica de SI3867DV-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI3867DV-T1-E3 | Categoría | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| Paquete / caja | 6-TSOP | cantidad disponible | 13496 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 51mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.1W (Ta) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) | Número de producto base | SI3867 |
| SI3867DV-T1-E3 Detalles PDF [English] | SI3867DV-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
| Descargar | SI3867DV-T1-E3 Detalles PDF | ||
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| SI3867DV-T1-E3 Acciones | Precio SI3867DV-T1-E3 | SI3867DV-T1-E3 Electrónica | |||
| Componentes SI3867DV-T1-E3 | Inventario SI3867DV-T1-E3 | SI3867DV-T1-E3 Digikey | |||
| Proveedor SI3867DV-T1-E3 | Orden SI3867DV-T1-E3 en línea | Consulta SI3867DV-T1-E3 | |||
| Imagen SI3867DV-T1-E3 | SI3867DV-T1-E3 Picture | SI3867DV-T1-E3 PDF | |||
| Hoja de datos SI3867DV-T1-E3 | Descargar la hoja de datos de SI3867DV-T1-E3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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