| SI3879DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI3879DV-T1-GE3 |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
| cantidad disponible | 2601 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| SI3879DV-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SI3879DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI3879DV-T1-GE3 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descripción | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
| Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 2601 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | LITTLE FOOT® | RDS (Max) @Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14.5nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) | ||
| Descargar | SI3879DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SI3879DV-T1-GE3 Acciones | Precio SI3879DV-T1-GE3 | SI3879DV-T1-GE3 Electrónica | |||
| Componentes SI3879DV-T1-GE3 | Inventario SI3879DV-T1-GE3 | SI3879DV-T1-GE3 Digikey | |||
| Proveedor SI3879DV-T1-GE3 | Orden SI3879DV-T1-GE3 en línea | Consulta SI3879DV-T1-GE3 | |||
| Imagen SI3879DV-T1-GE3 | SI3879DV-T1-GE3 Picture | SI3879DV-T1-GE3 PDF | |||
| Hoja de datos SI3879DV-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SI3879DV-T1-GE3 | Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
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| Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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SI3905DV-T1 | SI3905DV-T1 ROHM | ROHM | ||
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SI3900DV | SI3900DV VISHAY | VISHAY | ||
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SI3867 | VISHAY | |||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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Si3900DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3867DV-T1-GE3 MOS | VBSEMI TSOP6 | VBSEMI | ||
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SI3865DV-TI | VISHAY | |||
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SI3867DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3867DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3867DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 IC | VISHAY 6-TSOP | VISHAY | ||
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SI3905DV-T1 IC | SILICONIX SOT163 | SILICONIX | ||
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