| SSM3J09FU,LF | |
|---|---|
| Número de pieza | SSM3J09FU,LF |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| cantidad disponible | 9771 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| SSM3J09FU,LF Price |
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| Información técnica de SSM3J09FU,LF | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SSM3J09FU,LF | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| Paquete / caja | USM | cantidad disponible | 9771 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.8V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | USM |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.7Ohm @ 100mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 150mW (Ta) | Paquete / Cubierta | SC-70, SOT-323 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 5 V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) | Número de producto base | SSM3J09 |
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| SSM3J09FU,LF Acciones | Precio SSM3J09FU,LF | SSM3J09FU,LF Electrónica | |||
| Componentes SSM3J09FU,LF | Inventario SSM3J09FU,LF | SSM3J09FU,LF Digikey | |||
| Proveedor SSM3J09FU,LF | Orden SSM3J09FU,LF en línea | Consulta SSM3J09FU,LF | |||
| Imagen SSM3J09FU,LF | SSM3J09FU,LF Picture | SSM3J09FU,LF PDF | |||
| Hoja de datos SSM3J09FU,LF | Descargar la hoja de datos de SSM3J09FU,LF | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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