| SSM3J108TU(TE85L) | |
|---|---|
| Número de pieza | SSM3J108TU(TE85L) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| cantidad disponible | 2568 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.SSM3J108TU(TE85L).pdf2.SSM3J108TU(TE85L).pdf |
| SSM3J108TU(TE85L) Price |
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| Información técnica de SSM3J108TU(TE85L) | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SSM3J108TU(TE85L) | Categoría | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Paquete / caja | UFM | cantidad disponible | 2568 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | UFM |
| Serie | U-MOSIII | RDS (Max) @Id, Vgs | 158mOhm @ 800mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | Paquete / Cubierta | 3-SMD, Flat Leads |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) | Número de producto base | SSM3J108 |
| Descargar | SSM3J108TU(TE85L) PDF - EN.pdf | ||
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| SSM3J108TU(TE85L) Acciones | Precio SSM3J108TU(TE85L) | SSM3J108TU(TE85L) Electrónica | |||
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