| SSM3J114TU(TE85L) | |
|---|---|
| Número de pieza | SSM3J114TU(TE85L) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| cantidad disponible | 2627 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.SSM3J114TU(TE85L).pdf2.SSM3J114TU(TE85L).pdf |
| SSM3J114TU(TE85L) Price |
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| Información técnica de SSM3J114TU(TE85L) | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SSM3J114TU(TE85L) | Categoría | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Paquete / caja | UFM | cantidad disponible | 2627 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | UFM |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 149mOhm @ 600mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | Paquete / Cubierta | 3-SMD, Flat Leads |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 10 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.7 nC @ 4 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Número de producto base | SSM3J114 | ||
| Descargar | SSM3J114TU(TE85L) PDF - EN.pdf | ||
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| SSM3J114TU(TE85L) Acciones | Precio SSM3J114TU(TE85L) | SSM3J114TU(TE85L) Electrónica | |||
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