Modelo de Producto

SSM3J109TU(T5LT)

Introducción

SSM3J109TU(T5LT) es un Circuito Integrado (IC) especializado para aplicaciones específicas.

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor y Storage

Características

Transistor tipo MOSFET óptimo para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia en estado de conducción. Conmutación de alta velocidad.

Rendimiento del Producto

Proporciona un rendimiento consistente con un consumo de energía mínimo. Robusto contra fluctuaciones y perturbaciones en el circuito.

Especificaciones Técnicas

Configuración: Simple. Polaridad: Canal P. Tensión Drenador-Fuente (Vdss): -50V. Corriente - Drenaje Continua (Id) @ 25°C: -3A. Rds On (Máx) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ -3A, -10V. Disipación de Potencia (Máx): 1W.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete compacto SOT-23 para montaje superficial. Dimensiones: 2.8 mm x 2.9 mm x 1.1 mm. Empaque: Cinta y carrete para ensamblaje automatizado.

Calidad y Fiabilidad

Probado para alta durabilidad y estabilidad en diversas condiciones. Cumple con estándares industriales de calidad.

Ventajas del Producto

Eficiencia mejorada gracias a la baja resistencia en estado de conducción y a la conmutación de alta velocidad. Factor de forma pequeño que facilita diseños compactos.

Competitividad del Producto

Capacidades de gestión de energía superiores en un paquete compacto. Competitivo en campos que requieren alta eficiencia y fiabilidad.

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de dispositivos electrónicos gracias al paquete SOT-23 estándar.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares internacionales para componentes electrónicos. Libre de plomo y conforme a RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa bajo condiciones electrónicas típicas. Sostenible ambientalmente con cumplimiento de estándares ecológicos.

Campos de Aplicación Real

Circuitos de alimentación. Interruptores de carga. Sistemas de gestión de baterías en dispositivos electrónicos portátiles. Diseños de gestión de energía eficientes.

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