Modelo de Producto

SSM3J109TU(TE85L)

Introducción

Un circuito integrado especializado diseñado para aplicaciones específicas, desarrollado por Toshiba Semiconductor and Storage.

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Baja resistencia en estado activo, conmutación de alta velocidad, baja carga de puerta y bajo requerimiento de corriente de conducción.

Rendimiento del Producto

Rendimiento eficiente gracias a la baja resistencia en estado activo y las capacidades de conmutación de alta velocidad. Operación estable en un amplio rango de temperaturas.

Especificaciones Técnicas

Power MOSFET, N-Channel, Unipolar. Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V. Corriente de drenaje continua (Id): 1A. Disipación de potencia: 1W. Rds On (Máx) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete de montaje superficial compacto. Paquete: SOT-416FL. Dimensiones: 2mm x 1.25mm x 0.98mm.

Calidad y Fiabilidad

Diseñado para longevidad y rendimiento estable bajo diversas condiciones eléctricas y ambientales.

Ventajas del Producto

Optimizado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente. Mejora la eficiencia general de los circuitos electrónicos.

Competitividad del Producto

Ventaja competitiva en aplicaciones que requieren baja pérdida de potencia y alta eficiencia.

Compatibilidad

Compatible con técnicas de ensamblaje de circuitos estándar existentes.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las principales normas electrónicas y ambientales internacionales.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa con mínima degradación con el tiempo. Componentes y empaques ecológicos.

Campos de Aplicación Real

Aplicaciones de gestión de potencia, convertidores DC/DC, interruptores de carga, sistemas de gestión de baterías.

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