Modelo de Producto

K4W1G1646E-HC11

Introducción

IC de SDRAM DDR3 de Samsung para aplicaciones de computación de alto rendimiento

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Tecnología SDRAM DDR3, configuración de 16M x 64bit, suministro de energía estándar JEDEC de 1.5V(±0.075V), tasas de transferencia de datos de hasta 1600 Mbps, arquitectura de prefetch de 8 bits, estrobo de datos diferencial bidireccional.

Rendimiento del Producto

Bajo consumo de energía, latencia CAS programable, latencia aditiva programable, chop de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del registro de modo, autocomprobación para ahorro de energía.

Especificaciones Técnicas

8 bancos internos para operación concurrente, modos de auto refresco y auto refresco, libre de plomo (cumple con RoHS), modo de ráfaga secuencial/intercalado programable.

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaque FBGA, forma de 78 bolas.

Calidad y Fiabilidad

Fiabilidad en operación a altas temperaturas, disponibilidad y soporte a largo plazo, cumple con los estándares de calidad de Samsung.

Ventajas del Producto

Optimizado para el procesamiento de datos de alta velocidad, adecuado para sistemas de computación de alto rendimiento.

Competitividad del Producto

Marca de confianza Samsung conocida por su fiabilidad y rendimiento, ampliamente utilizada en la industria para diversas aplicaciones informáticas.

Compatibilidad

Compatible con zócalos de memoria DDR3 estándar, especificaciones eléctricas e interfaz conforme a JEDEC.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, conforme a la especificación estándar JEDEC.

Duración y Sostenibilidad

Duradero bajo altas cargas de trabajo, diseñado para un funcionamiento sostenible durante un período prolongado.

Campos de Aplicación Real

Computadoras de escritorio y portátiles, servidores y centros de datos, sistemas de computación de alto rendimiento, equipos de redes y telecomunicaciones.

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