Modelo de Producto

K4W4G1646B-HC1A

Introducción

Módulo de DRAM de Samsung Semiconductor

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Bajo consumo de energía, alta tasa de transferencia de datos, soporte para múltiples bancos de memoria, proporciona solución de memoria de alta densidad.

Rendimiento del Producto

Retención de datos estable, tiempos de acceso rápidos, características térmicas eficientes, durabilidad robusta en ciclos.

Especificaciones Técnicas

Tipo: DRAM, Tamaño de Memoria: 4Gb, Tasa de Datos: DDR3, Voltaje: Niveles estándar de DDR3.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete delgado y en forma de ranura estándar (TSOP), dimensiones estandarizadas para compatibilidad con diversos dispositivos, empaquetado para transporte e instalación seguros.

Calidad y Fiabilidad

Rigurosamente probado para garantía de calidad, alto MTBF (Tiempo Medio Entre Fallos), reputación de Samsung por productos de memoria confiables.

Ventajas del Producto

Proceso de fabricación de vanguardia, optimizado para un rendimiento eficiente en términos de energía, técnicas estándar de la industria para la integridad de los datos.

Competitividad del Producto

Altamente competitivo en el segmento de memoria de alta velocidad, preferido para computación avanzada y electrónica de consumo.

Compatibilidad

Compatible con puertos de memoria DDR3 estándar, interoperable con una amplia gama de procesadores y chipsets.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares JEDEC, conforme a RoHS para seguridad ambiental.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, construido con prácticas sostenibles en mente.

Campos de Aplicación Real

Utilizado en PC, portátiles y servidores, adecuado para juegos, redes y computación de alto rendimiento.

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