Modelo de Producto

K4W1G1646G-BC11

Introducción

Chip de DRAM de alto rendimiento diseñado para aplicaciones que requieren procesamiento de datos de alta velocidad y almacenamiento de memoria.

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Alto rendimiento en la transferencia de datos, bajo consumo de energía, gran capacidad de almacenamiento y tiempos de acceso rápidos.

Rendimiento del Producto

Excelente estabilidad en operaciones de alta velocidad, robustas tolerancias de temperatura para diversos entornos y rendimiento consistente en cargas de trabajo variables.

Especificaciones Técnicas

Parte de las Circuitos Integrados (CI), categoría: CI especializados, fecha de fabricación indicada por el código de fecha: 1225+PBF.

Dimensiones, Forma y Empaque

Formato estándar para compatibilidad con diversos dispositivos, empaquetado para protección óptima durante el envío y manejo.

Calidad y Fiabilidad

Fabricado por el líder de la industria reconocido Samsung, con estrictos controles de calidad.

Ventajas del Producto

Optimizado para operaciones de alta eficiencia, ideal equilibrio entre velocidad y uso de energía.

Competitividad del Producto

Ventaja competitiva en mercados de memoria de alta velocidad, respaldado por la reputación de Samsung y su experiencia tecnológica.

Compatibilidad

Diseñado para la compatibilidad con una amplia gama de dispositivos electrónicos.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las normas e inspecciones industriales relevantes, cumplimiento con las regulaciones ambientales y de seguridad.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, procesos de fabricación ecológicamente conscientes.

Campos de Aplicación Real

Sistemas de computación de alta velocidad, dispositivos móviles avanzados, consolas de juegos, centros de datos.

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