K4W1G1646E-HC15
Número de pieza K4W1G1646E-HC15
Fabricante SAMSUNG
Descripción SAMSUNG BGA
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Modelo ECAD
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Información técnica de K4W1G1646E-HC15
Número de pieza del fabricante K4W1G1646E-HC15 Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante Samsung Semiconductor Descripción SAMSUNG BGA
Paquete / caja BGA cantidad disponible 1569 pcs
Condición New Original Stock Garantía 100% Perfect Functions
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Envío por DHL / Fedex / UPS Puerto HongKong
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Modelo de Producto

K4W1G1646E-HC15

Introducción

Memoria IC DDR3 SDRAM

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Transferencia de datos de alta velocidad, funcionamiento a bajo voltaje, DRAM síncrono de alta velocidad, 8 bancos internos para operación concurrente

Rendimiento del Producto

Tasas de datos de hasta 1866 Mt/s, Latencia CAS 15 (CL15), estroboscopio de datos diferencial dual

Especificaciones Técnicas

Tamaño de memoria: 1Gb, Tipo de memoria: DDR3 SDRAM, Frecuencia de reloj: hasta 933 MHz, Voltaje de I/O: 1.5V

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaque en arreglo de bola fina (FBGA)

Calidad y Fiabilidad

Rango de temperatura extendido, cumplimiento con los estándares JEDEC

Ventajas del Producto

Eficiencia energética, alto ancho de banda de datos, tecnología estable y probada

Competitividad del Producto

Marca reconocida, ampliamente utilizada en la industria, buena relación calidad-precio

Compatibilidad

Compatible con ranuras estándar DDR3 SDRAM, ideal para aplicaciones de PC y servidores

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con JEDEC, cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Vida operativa prolongada, fabricado con materiales duraderos

Campos de Aplicación Real

Computación personal, servidores, sistemas de computación de alto rendimiento, equipos de red

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