Modelo de Producto

K4W4G1646B-HC11

Introducción

Componente de DRAM de Samsung Semiconductor

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

IC de memoria DDR3 de alta densidad, bajo consumo de energía, alta velocidad de transferencia de datos, densidad de 4 Gb (Gigabit)

Rendimiento del Producto

Rendimiento estable en una amplia gama de aplicaciones, soporte para tareas de computación de alto rendimiento, gran capacidad para operaciones intensivas en datos

Especificaciones Técnicas

Tecnología DDR3 SDRAM, compatible con RoHS y libre de plomo, configuración de 64M x 64-bit

Dimensiones, Forma y Empaque

Dimensiones estandarizadas de IC, paquete rectangular y plano, enviado en bandejas o bobinas y bandejas

Calidad y Fiabilidad

Garantía de calidad de Samsung, extensivas pruebas de fiabilidad, estabilidad de rendimiento a largo plazo

Ventajas del Producto

Adecuado para tareas de computación de alta velocidad, respaldado por la reputación de Samsung para la calidad

Competitividad del Producto

Competitivo tanto en costo como en rendimiento, ampliamente reconocido en el mercado de semiconductores

Compatibilidad

Compatible con una variedad de placas base y dispositivos que soportan memoria DDR3

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con la normativa RoHS, cumple con los estándares JEDEC

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, diseñado para minimizar el impacto ambiental

Campos de Aplicación Real

Servidores, computación de alto rendimiento, juegos, equipos de telecomunicaciones, electrónica de consumo

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