Modelo de Producto

K4W1G1646E-HC1A

Introducción

IC Samsung K4W1G1646E-HC1A para aplicaciones especializadas

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Integración de memoria de alta densidad, optimizado para aplicaciones especializadas, diseño eficiente en energía

Rendimiento del Producto

Retención de datos estable, tiempos de acceso rápidos, baja latencia

Especificaciones Técnicas

Memoria DDR de 1Gbit, Grado de velocidad: -HC1A, Organización: x16, Voltaje: 1.8V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete IC estándar, tecnología de montaje superficial, enviado en empaque de cinta y carrete o bandeja

Calidad y Fiabilidad

Fabricado en instalaciones certificadas por ISO, control de calidad estricto, confiabilidad comprobada de Samsung Semiconductor

Ventajas del Producto

Mayor durabilidad, operación a alta velocidad, bajo consumo de energía

Competitividad del Producto

Competitivo en el mercado de IC especializados, líder en innovación, reputación de marca bien establecida

Compatibilidad

Compatible con interfaces DDR estándar, huellas estándar de la industria para integración

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con ROHS, libre de plomo, cumple con estándares internacionales de seguridad y medio ambiente

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa, uso sostenible con bajo consumo energético

Campos de Aplicación Real

Electrodomésticos, sistemas de comunicación, servidores y centros de datos, dispositivos de computación avanzada

K4W1G1646E-HC1A son nuevos y originales en stock, encuentre el inventario de componentes electrónicos K4W1G1646E-HC1A, la hoja de datos, el inventario y el precio en línea en Ariat-Tech .com, ordene K4W1G1646E-HC1A SAMSUNG con garantía y confianza de parte de la tecnología Ariat Limitd. Envíe vía DHL / FedEx / UPS. El pago con transferencia bancaria o PayPal está bien.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ K4W1G1646E-HC1A en línea.