Modelo de Producto

K4W4G1646B-HC12

Introducción

Chip DRAM de alto rendimiento diseñado para diversas aplicaciones informáticas.

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Alta velocidad de transferencia de datos, bajo consumo de energía, tecnología avanzada de reducción de ruido, rendimiento térmico estable.

Rendimiento del Producto

Optimizado para tareas de computación a alta velocidad, soporta operaciones continuas bajo diversas condiciones ambientales.

Especificaciones Técnicas

Tipo: DRAM, Tecnología: DDR3.

Dimensiones, Forma y Empaque

Factor de forma estándar del chip, empaquetado en un material antiestático seguro.

Calidad y Fiabilidad

Calidad de construcción robusta, probado para durabilidad y confiabilidad a largo plazo.

Ventajas del Producto

Operación a alta velocidad e integridad de datos, gestión de energía eficiente.

Competitividad del Producto

Bien posicionado en segmentos de mercado de alta demanda, compite con los estándares líderes de la industria.

Compatibilidad

Compatible con varios estándares de placa base que requieren tecnología DDR3.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con estándares electrónicos internacionales, certificado según estándares ambientales y de seguridad.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, diseñado para eficiencia energética y mínimo impacto ambiental.

Campos de Aplicación Real

Computación, servidores de alto rendimiento, centros de datos.

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